RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
92
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2841
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link