RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
41
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2902
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM-Vergleiche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link