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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
41
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
41
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1806
2902
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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