RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
43
Rund um -139% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.5
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
19.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
3704
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link