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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
43
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
43
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2066
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