RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
7.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
43
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
11.3
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2066
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link