Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Puntuación global
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.4 left arrow 11.3
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 43
    En -39% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.4 left arrow 11.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.7 left arrow 8.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1823 left arrow 2066
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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