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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.4
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
43
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
31
Velocità di lettura, GB/s
11.4
11.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2066
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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