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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Kingston 9965600-012.A01G 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Punteggio complessivo
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Kingston 9965600-012.A01G 16GB

Kingston 9965600-012.A01G 16GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.1 left arrow 11
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.7 left arrow 8.4
    Valore medio nei test
Kingston 9965600-012.A01G 16GB Motivi da considerare
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 38
    Intorno -9% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.1 left arrow 11.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.7 left arrow 8.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2228 left arrow 2246

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB

Kingston 9965600-012.A01G 16GB Confronto tra le RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Memoria RAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Memoria RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Memoria RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Memoria RAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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