Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

35 38

Intorno 8% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16.5 9.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.9 7.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 17000

Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2126 2829

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns