Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

35 38

Por volta de 8% menor latência

Razões a considerar
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.5 9.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.9 7.9

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 17000

Por volta de 1.51 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2126 2829

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns