RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
38
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.9
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
2829
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link