RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
46
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
19.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3622
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link