RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
46
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3622
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link