Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

35 38

En 8% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.5 9.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.9 7.9

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 17000

En 1.51 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2126 2829

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns