RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
92
En -268% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2695
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link