RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1966
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link