RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3187
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link