Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB против Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 65

Около 57% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.3 8.5

Среднее значение в тестах

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 13.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 65
Скорость чтения, Гб/сек

13.5 15.8
Скорость записи, Гб/сек

9.3 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2278 1932

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

AMD R7416G2133U2S 16GB

AMD R7416G2133U2S 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB

Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

модули RAM