RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
62
Intorno 58% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
62
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2070
1808
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link