RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
62
左右 58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
62
读取速度,GB/s
13.2
16.7
写入速度,GB/s
8.4
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
1808
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link