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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

总分
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

总分
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 62
    左右 58% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 7.0
    测试中的平均数值
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    26 left arrow 62
  • 读取速度，GB/s
    13.2 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    8.4 left arrow 7.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 1808

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Kingston 9905665-023.A00G 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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