RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
62
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1808
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link