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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
62
Por volta de 58% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
62
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
1808
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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