Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB

总分
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

总分
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TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    11.5 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.5 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    25 left arrow 27
    左右 -8% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    27 left arrow 25
  • 读取速度,GB/s
    11.5 left arrow 11.2
  • 写入速度,GB/s
    8.5 left arrow 5.4
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1756 left arrow 1853
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