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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
总分
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
总分
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.5
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
5.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
11.5
11.2
写入速度,GB/s
8.5
5.4
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1756
1853
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905295-081.A00LF 2GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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