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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
56
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
56
读取速度,GB/s
15.7
9.3
写入速度,GB/s
9.8
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2200
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM的比较
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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
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