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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
総合得点
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
11.4
11.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
43
周辺 -39% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.0
7.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
31
読み出し速度、GB/s
11.4
11.3
書き込み速度、GB/秒
7.7
8.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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