RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
18.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
4005
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link