RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
3460
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link