RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
43
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
14.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
3112
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link