RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
49
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2413
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link