RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
60
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2359
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link