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Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
72
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.8
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1272
1593
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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