RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
72
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
6.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
4.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
72
Скорость чтения, Гб/сек
6.5
15.3
Скорость записи, Гб/сек
4.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1272
1593
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link