RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
72
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
6.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
4.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
72
Скорость чтения, Гб/сек
6.5
15.3
Скорость записи, Гб/сек
4.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1272
1593
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link