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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
25
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
2340
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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