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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
15.3
16.1
写入速度,GB/s
9.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2340
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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