RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
3045
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link