RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3045
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link