RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
50
Rund um 50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
2248
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link