RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
50
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2248
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link