Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Gesamtnote
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Gesamtnote
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    18 left arrow 25
    Rund um -39% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    20.4 left arrow 15.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    17.2 left arrow 9.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 18
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 20.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.8 left arrow 17.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2646 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche