RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
37
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
2321
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link