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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
15.3
15.4
写入速度,GB/s
9.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2321
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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