RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Gesamtnote
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
24
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1751
2913
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link