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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
比较
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
总分
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
24
读取速度,GB/s
11.6
14.3
写入速度,GB/s
5.6
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1751
2913
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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