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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
53
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.4
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
53
读取速度,GB/s
10.2
10.4
写入速度,GB/s
8.1
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2285
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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