RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
53
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
53
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2285
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link