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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905712-035.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
68
左右 -84% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
37
读取速度,GB/s
3,886.6
14.7
写入速度,GB/s
1,702.6
10.5
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
2461
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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