RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
68
Intorno -84% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
37
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
2461
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link