RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
87
Intorno -172% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
32
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3322
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link