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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
87
左右 -172% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
32
读取速度,GB/s
3,155.6
15.7
写入速度,GB/s
870.4
13.7
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3322
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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